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Buck电路中辅助电源超功率的问题
阅读: 18370 |  回复: 171 楼层直达

2017/01/06 09:28:21
1
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
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连长

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     各位亲们好!看过后,请阐述一下自己的看法,谢谢!        

     近期做了一个简单的buck电路,现逐步展开电路测试,分为开环测试和闭环测试;       

     然而,在开环测试的过程中,低输入电压测试时,一切正常,当增大输入电压测试时,会出现辅助电源模块烧毁的问题; 

     该辅助电源模块,只是为驱动芯片IRS21850等供电,利用辅助电源产生电路中所需要的各种电压,如20V,15V,5V;        

     为什么当输入电压增大的时候,辅助电源模块会出现超功率,过热的状况呢?       


     补充:      

     1.电路很简单,我只是想弄清楚整个流程,从仿真,到绘制PCB,到焊接测试;       

     2.现在在不含软开关的开环测试时,主电路中的谐振电容C1、谐振电感L2均未焊接,主电路中的 

        采样电阻串也未焊接,仅仅是简单的结构; 

    3.外加PWM信号,经由驱动芯片IRS21850,利用自举原理进行驱动;      

    4.就是TDA5-24S24总出问题,很烫;昨天针对这个再次测试时,因及时切开Buck电路输入电压,

        该模块得以保全,但驱动芯片IRS21850坏掉;    

     请大家指导!谢谢!     


    补充:

    错误1:之前采用5W的隔离电源,当高压输入测试时,该5W的隔离电源因过烫而无法正常工作;                 

            猜测超功率,换为更大功率的隔离电源模块;     

    错误2:现在改用15W隔离电源,当高压输入时,该隔离电源的输入功率由正常情况变为0.699W,                 

            该情况出现过两次;

  在上述两种错误中,都会出现驱动芯片也坏掉的情况!


     补充(2017_01_06):

     之前表面看起来辅助电源模块异常,而经过一段时间后,辅助电源模块依然可正常工作,实际受损的是驱动芯片!!

电源网-璐璐在2017-01-10打赏该贴 +5 电源币 打赏理由:

2017/01/06 10:46:03
2
电源网-fqd
电源币:5053 | 积分:15067 主题帖:388 | 回复帖:5024
LV11
统帅
已经被添加到社区经典图库喽
bbs/classic/
2017/01/06 10:50:22
3
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
这里有点冷,不见有回复~
2017/01/06 11:54:58
4
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

不是沒人回, 是因為迴路控制本來就需要閉迴路, 開迴路除非輸出功率等於輸入功率, 不然當你輸入一值增大, 輸出功率沒變的情況, 

其他功率跑哪?當然是轉成熱, 而熱當然是VI造成的, 所以你燒驅動還好, 再大一點連功率管都燒....

這情況誰會回你.....

2017/01/06 12:09:24
6
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

为什么说输出功率不变呢?当输入功率增大的时候,输出功率也会随之增大啊~

按照版主的意思是,根本不能进行开环测试吗?

恕我无知,我只是循序渐进地来测试;若有可笑之处,希望能指正;

2017/01/06 13:12:25
8
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

輸出功率變大是因為V變高, 若你輸出的負載是一個定電流, 則開環路後Buck電壓Vo會接近Vi  Io = Ii  但是條件是 Dmax = 100%

若你的Dmax = 90% 那麼 Vo= Vi * 0.9  Io = Ii 不變, 若是如此, 那你電壓一值上升, Dmax不變, Vo上升, Io不變, Ii 開始變化, 主要是儲能電感激磁關係, 且MOS管也因為電壓高開始產生Switch Loss, 驅動管因為電壓高, Dmax很大相當抽取大電流, 所以驅動也產生Loss

當這情況產生, 則 Ii > Io  Pi > Po  Vo= Vi * Dmax  這樣會燒麼你覺得?

而同步型Buck的 Dmax 一般介於90-95% 之間, 為何?因為兩邊必須有一個死區約佔2%, 下橋Mos不可以全開佔3%........


2017/01/06 16:04:44
11
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

首先,谢谢版主的回复。。真的很感谢~ 版主不要嫌麻烦,请耐心指导一下我~

接下来,我针对版主的回复谈谈自己的看法;

1.输出的负载不是一个定电流,这个地方,应该是版主写错了,输出的负载是一个定值电阻;

      并且即使是一个定电阻,【版主见谅】,开环路后为何Buck电压Vo就会接近Vi呢?

2.这个开环测试,外加脉冲的占空比一直设置为50%;并且在我测试的过程中,我发现输出电压

     确为输入电压的1/2左右;输出电流大于输入电流,粗略算一下效率,也曾达到97%;

3.其实,我应该在版主所说的“Dmax很大”这个地方糊涂了,不过版主所说的抽取很大电流这个地方,

我之前也想过,但更深一点的原因没想通,“驱动产生Loss”这个地方也没清楚!

  如果驱动芯片抽取大电流这个地方理解通,则烧毁及电源模块出现问题,我感觉真的是很自然得事儿!

2017/01/06 17:49:17
12
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

嗯...定電流只是一個例子而已, 輸出負載可能是定電阻,像你所用一顆電阻值固定, 這就是定電阻,  也可能是定電壓, 像電池類, 或LED負載就是定電壓..

開環路就等於把輸出回饋回輸入的節點切斷才稱為開迴路, Vo接近Vi 條件是Dmax=100% 所以

1). 若你的佔空比一直維持在50:50不變, 那輸出電壓當然是輸出的一半, 因為輸出電壓是方波高度與寬度的平均面積, 所以當你輸入電壓上升, 輸出電壓也會跟著上升, 因為是保持在50:50的佔空比

而輸出上升,當然電流就跟著上升, 因為電阻固定, 若效率100%, 此時 Pi = Vi * Ii ; Po =Vo* Io ; Vo =1/2Vi  ;  Io = 1/2Ii  因為 Po=Pi  ,  但是當電流上升時, 由MOS流經電感電流其峰值是呈現根號三的比值上升, 例如1A的平均電流其峰值為1.72A, 因為它是鋸齒波面積總和積分而來, 當2A時, 峰值為3.46A

因此MOS RDSon 固定, I持續增大, Mosfet 損失當然會大...

2). 當驅動電壓隨輸入上升而上升, 意味著High 電位一直上升,當上升到某個程度時, 會因MOS的米勒效應而對驅動抽取更多電流, 但是一般做在IC內的三極體

很不幸的其飽和電壓會因電流上升而上升, 不像外掛晶體有固定的飽和點, 因此當驅動電流上升而飽和電壓也上升, 則意味著驅動管 PD = I * Vset 很大

所以整體的可能是, 你電壓上升到某個程度時, 整體消耗突然變大..  

 

2017/01/06 18:50:41
13
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

嗯,我阅读了版主的回复。

1.首先,直到1)的末尾,我都是赞同的,只是中间版主可能出现了笔误,应是Io=2*Ii;

2.关于2)中的解释,第一句“驱动电压随输入电压上升而上升”,我没太明白您的意思;

(1)首先驱动芯片21850的供电电压是20V电压,自举电容的充电也只有在Buck电路续流阶段方可完成;

当Buck电路工作在MOS管导通阶段时,没有充电过程,自举电容储存的电荷释放,供给MOS管的栅源电容;

(2)您所提及的high电位是指MOS管的源极电位吗?

(3)会因MOS管的效应而对驱动抽取更多的电流,具体是在哪个阶段?

2017_01_09补充:按照我绘制的第一幅图,可以看出,对于Cgs的充电,是由自举电容经过驱动芯片输出侧推挽结构

中的PMOS进行的,即使由于密勒效应的存在,抽取的电流也不是来自于驱动芯片的供电电压;

此外,第二幅图片是我搜索的关于米勒效应的一点东西,该图片中显示,MOS管漏极电位的升高会引起密勒平台时间的

延长,未谈及对抽取电流的影响;

可能是我理解得不够充分,请指导!谢谢!


2017_01_08补充:

抽取更多的电流,是指在buck电路续流阶段?


2017/01/06 19:14:46
14
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

此外,按照版主的分析,驱动芯片+自举原理的驱动方法只适用在低压输入的Buck电路中?

请版主指导~

2017/01/09 12:29:57
15
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

自己量波形, 懶的打了

自舉電路不是萬能的, 用Choke去推反而較實在.....

2017/01/09 16:46:37
16
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

嗯 谢谢版主 这个图形不知来自什么资料 现在我驱动芯片输入端信号就像图中所示,不是标准方波,顶部有些倾斜~


2017_01_09晚补充,

其中版主15楼中图片中的“SW”不晓得是何含义?

此外,我纠正一下,Buck低压输入时,用差分探头观察vgs波形,会发现vgs波形正常,顶部不倾斜,但上升沿有尖峰;

是当我升压,驱动芯片损坏后,当然此时vgs波形无,驱动芯片输入端的波形,不是标准方波,顶部有所倾斜,

且右下左上~

2017/01/09 17:10:49
17
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
那我用看的就知道波形了.....
2017/01/09 17:32:15
18
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

。。一直卡死在这里,没有对策。。。

(1)还不想放弃这个驱动芯片自举的方式。。

版主有没有什么建议?在这个基础上修改?

难道说我只能放弃这个驱动芯片+自举的方式?

按照驱动芯片datasheet上的参数来看,其至少能够应用在输入为500V的Buck电路中~

(2)此外,版主上传的图,还不是很明白~

2017/01/09 18:00:43
19
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

1). 因為你使用半同步方式以Diode落地, 因此, 當輸出電流越大, VF只要一拉高, 則會因為能量釋放不完全, Peak 就會往上拉...

2). 自舉電路必須於下橋導通後進行充電, 理論上自舉電容越大越好, 但是在頻率較高時會有充電的惰性, 所以通常電容大是用在頻率較低場合, 且當Peak

(Mosfet_S)拉高後, 前後緣會出現尖峰, 很容易灌死Vs接腳, 且因為電壓下降造成的鋒值電流會很高....

3)以下圖你參考看看吧....這種不怕尖峰..

2017/01/10 10:08:48
30
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

虽然还是有不明白之处,但在版主的指导下,我算是逐渐清楚了起来~  感谢~


关于19楼的回复:

1)版主如此说,“因為你使用半同步方式以Diode落地, 因此, 當輸出電流越大, VF只要一拉高, 則會因為能量釋放不完全, Peak 就會往上拉.”

那,现在先不谈论闭环的情况,只提及开环情况:倘若我不采用diode落地,使用同步方式,续流的时候用MOS管,该种情况下应该也会出现版主所说的“能量释放不完全,Peak就会往上拉吧”


2)版主第二条回复的前半句我清楚,也曾在另外一个帖子及相关资料中,看到,“自举电容在满足供电的下限后,不应太大“;【这个地方,我在测试的时候,也遇到一点小问题,不过由于该贴的关键问题不在于此,我后来再开新帖或在本帖补充,

以免越扯越多,跑偏】


3)版主第二条回复的后半句我有不清楚之处,”“

2017/01/11 16:39:34
58
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

關於19樓:有兩個地方我沒有徹底理清,也不想不懂裝懂~再把它拉出來溜溜~【已做好可能會挨罵的準備~】

1)”VF只要一拉高,則會因為能量釋放不完全,Peak就會往上拉“,這個地方,我曾經提問過,如果換用同步Buck會怎樣,版主也曾說過,”同步buck的速度比二極管快,能夠將儲能電感的能量釋放到極限,“,我不明白之處在於,到底,儲能電感能量的釋放速度是怎麼與二者的速度關聯起來的?也就是說,更深入的原因呢?

那現在我根據一階RC電路的相關知識,對電感放電建模,應當如下:

無論是續流二極管,還是MOS,想必對於儲能電感的放電而言,僅是Ron和Von不同吧,輸入部分,藍色虛線框是否可等效成一電壓源,倘若如此,則有

Ldi/dt+Vo+i*Ron+Von=0;

一階線性常微分方程,可得出放電快慢的影響因素,應該是Ron;直接調用一階RL電路知識,i(t)應該隨時間呈指數衰減,電路時間常數應該為L/Ron;

不知我上面那個地方遺漏了什麼,所以,我未能明白,為何用MOS續流便可以使儲能電感釋放能量更加完全??


2)”自舉電容在頻率較高時會有充電的惰性“,此”惰性“意指what?又是具體如何引發了充電的惰性?是頻率過高,充電時間短,還是怎麼?


3)”MOS管源極拉高后,會出現尖峰,容易灌死VS管腳“,尖峰出現的原因,承蒙指導,算是清楚了,只是”灌死VS管腳“,可否書面化解釋?這樣的描述,我並不清楚。。。

2017/03/06 11:50:19
153
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
2N3904datasheet.pdf

8050datasheet.pdf8550datasheet.pdf版主好!現在我開始展開脈衝變壓器的仿真與實際焊接測試(元器件尚未到),有以下幾個疑問:

(1)首先,0-5V的PWM波經過電平轉換電路,轉為0-20V,其中的NPN晶體管,我選用了2N3904,基極電阻1k,這樣則基極電流5mA;集電極上拉電阻400歐姆,這樣,IC可達到50mA;【其中,2N3904tr、td、tf均較小,幾十納秒,存儲時間略長,幾百納秒,過長的存儲時間應該會影響脈衝下降沿的陡峭性吧?】

後面緊跟的推挽電路中,NPN晶體管選用8050,PNP選用了8550,二者集電極電流最大可達到1.5A,此時基級電流為50mA,這也是我前面電平轉換電路上拉電阻選用400歐姆的原因;【但是,在NPN和PNP管的選擇上,我覺得我還是遺漏了一點,並且對於這一點也手足無措,也就是頻率,PWM波的頻率;仿真的時候,因為沒有這兩個管子的模型,我用了別的管子試了試;波形表明,邊沿的陡峭性很差(如圖,這個仿真中管子選得隨意),這應該與晶體管的寄生電容及集電極電流相關吧;我知道了PWM波的頻率,在選用晶體管構成推挽電路時,應該著重考慮其哪個參數?上升時間與下降時間必須考慮,存儲時間呢?其他參數呢?】

2017/03/06 12:14:30
155
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
Q3必須有提升電阻到20V
2017/03/06 15:27:32
160
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
必须有提升电阻??
2017/03/06 12:21:17
157
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
5V輸入, 電晶體E端輸出, 保持導通電位為High = +Vin - Vbe  Low = 0Vin + Vbe  震幅會相差1.4V
2017/03/06 15:05:56
158
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
嗯,是的
2017/03/06 12:03:53
154
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

緊接著,我仿了下面這個電路:

波形比較奇怪;

(1)首先,綠色波形幅值的最小值非零,這個問題來源於推挽結構中晶體管的選擇,在上一樓中已提及;

(2)其次,綠色波形幅值的頂端和之前樓主傳的圖片所示的一樣,比較有趣,是一個階梯狀的樣子,這是衰減震蕩所致??

(3)紅色波形倒和綠色波形一樣的形狀,但是感覺高低電平的幅值不太對;

2017/03/06 12:15:57
156
juntion[版主]
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LV9
军长
10K兩端要並接一顆穩壓管或二極體....
2017/03/06 15:08:24
159
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
这个我记得呢,只是仿真时,没加上。
2017/01/09 18:08:35
20
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

另外你看我所畫的波形, 當你閉迴路時, 週期得到控制, 輸入電壓越高輸出保持, 表示Off期間對自舉電容充電時間加長, 你的波形就不會斜角的很厲害..

但是再使用二集體作續流時, 依然會有Peak存在, 只是比較小而已....

2017/01/09 19:36:06
21
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

首先,我对版主的指导表示感谢~从头到尾都是版主在耐心讲解~

我都不好意思再问了~

我再把帖子从头到尾阅读一下,实在不清楚的地方,还需麻烦版主,

请版主教诲~

2017/01/10 09:29:11
26
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

版主的这一句阐述使得我对版主所传的图片能理解通~

1.采用自举原理时,vgs信号会受自举电容两端电压影响,vgs的倾斜应该是自举电容两端电压值下降所致;

但是,还有一点小疑问,就在开环的情况下,如若占空比保持不变,那么自举电容的充电时间没变,

Buck电路的输入电压从低到高转化时,vgs出现倾斜就是密勒效应所致?


2.采用自举原理时,开环与闭环时vgs的不同之处在于:开环时,输入变大,输出也增大,占空比未变;

  而闭环时,输入变大,输出不变,等效占空比变小,续流阶段延长;自举电容充电时间长,然后,vgs的

  倾斜状况便会缓解;


然而脉冲尖峰的缓解原理不是很清楚?

2017/01/10 10:15:40
31
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
脈衝尖峰是由電感與二極體引起的..
2017/01/11 08:53:33
36
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

脉冲尖峰产生的原因我查了一下:


1.首先,尖峰主要分为电压尖峰和电流尖峰。电压尖峰因其位置的不同又有MOS关漏源电压尖峰与续流二极管电压尖峰。


2.杂散电感主要由输入端到MOS管漏极的杂散电感(如图中L1)以及杂散电感L2与L3.


3.主功率管關斷期間的電壓尖峰(漏源兩端的電壓尖峰)

原理:由於雜散電感L1的存在,當主功率管關斷時,將會在雜散電感兩端產生右正左負的電壓,其與Vin一起施加在MOS管的漏源兩端,使MOS管漏源兩端電壓VDS產生較高的電壓尖峰;

解決方法:給主功率管並聯一電容,這樣在主功率管關斷瞬間,雜散電感通過該電容,形成一電流迴路,如下圖中C3所示;


4.續流二極管兩端的電壓尖峰/主功率管源極的電壓尖峰

上圖為續流二極管的反向恢復過程。

(1)t0時刻,主功率管導通,續流二極管電流減小;由於流過雜散電感L3的電流不能突變,該電感會產生一個上正下負的感應電壓;

(2)t1時刻,通過續流二極管的電流為零,但是此時續流二極管並未關斷,這是因為在其導通期間,有一定量的電荷存儲,接著,續流二極管處於反向恢復階段。

(3)t1-t2時刻,通過續流二極管的反向恢復電流逐漸增大,其方向與續流二極管導通時的續流電流方向相反,雜散電感上感應電壓為上正下負;

(4)t2時刻,流過VD的反向恢復電流減小,L3上感應電壓為下正上負;


5.續流二極管的電流尖峰

電流尖峰會隨續流二極管反向恢復時間的增大而增大,故而需採用反向恢復時間短的二極管續流。


接下來,有幾個問題在樓主15樓所傳的圖片處描述;

2017/01/11 10:08:37
38
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

1). 你一開始貼出來的圖操作波形只有開通往上尖波沒有往下, 但是上緣與下緣都出現斜率, 可見你的Driver已經不夠....

2). 續流二極體在t2那段時間叫做Qrr, 此處為V*Ir的乘積, 這種對升壓影響較大, 對降壓還好....正尖峰大多是來自主電感..

3). 負尖峰是來自, 當MOSFET關斷時,二極體便導通, 但是請注意二極體並不是自己要通, 而是電感端電壓反向促使二極體導通

     但自舉電容這時需要充電, 此時兩個電流是相反的, 但續流能量會比充電大, 但是續流時間比充電時間長, 所以當能量在更大時就會拉一的下尖峰, 電容也同      時充電完成... 

2017/01/11 11:27:53
40
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

感覺越聊問題越多,一個接一個,我都記錄在冊,會一一拉出來,不解決心裡堵。。

首先,針對38樓,問題如下:

1.是,貼出來的圖像是vgs的圖形,只有上尖,上下邊沿也的確出現了斜率,【我見識少】,版主之前推薦的

”用choke去推“的方法,可以得到邊沿很陡的波形???

driver不夠的話,因為驅動的時候,完全由自舉電容釋放電荷,供給給柵源電容Cgs,那恐怕就得按照版主之前

的建議,增大自舉電容Cgs,如果不改結構的話,恐怕只有這一個參數的調整可以改善吧,或者調整一下自舉電阻,

調自舉電阻應該不是一個太好的途徑吧???


2.”正尖峰主要來自主電感“,這個地方是因為,MOS管剛開啟,Vin通過MOS管,給主電感充電,主電感產生一

左正右負的尖峰,那麼,此刻,MOS管一導通,續流二極管就應當處於反向恢復狀態,并逐漸截止吧?

雖然,想必續流二極管串聯的雜散電感在續流二極管反向恢復電流增大的過程中,也能產生一個上正下負的感應電動勢,

但由於,其電感值較小,故而,並未占主要因素,可是這樣??


3.是的,是電感的作用,促使二極管導通,也的確,充電電流方向與續流方向相反,充電的迴路,想必是,自舉二極管

------自舉電容---主電感-----負載;然後續流能量大,就會產生一個下尖峰,還是沒有弄懂???

此外,只要自舉電容沒充滿,在續流階段都能沖吧~~


這樣打字,我也焦急,感覺有一堆堆話要說。。

2017/01/11 11:36:19
42
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长

打字确实嘛烦,像我现在外用平板打字慢... 我不用通讯软体.. 

变压器drive不用充电,电流可以很大,不需自举,也不怕尖波

2017/01/11 11:38:55
43
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

嗯~我打字速度還可以,但是為了把問題描述清楚,要很啰嗦才好~

哦  那這個電路太厲害了,我要記下,仿真看看,或許會再做個這個試試~

2017/01/11 11:50:39
46
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

這個網站還不太方便,有新回復,點開看,還不能調到回復的地方,還得

下拉網頁查找~~~

字體,有些地方想加粗,用些別的顏色突出,也不行~

2017/01/11 11:53:51
47
电源网-天边
电源币:156 | 积分:398 主题帖:58 | 回复帖:1135
LV9
军长

您说的功能在最右侧的导航栏,有查看最新回复。


至于字体变颜色,这是版主才有哒~~

2017/01/11 11:56:31
48
电源网-璐璐
电源币:1090 | 积分:75 主题帖:206 | 回复帖:1430
LV10
司令

来来来,最新回复在这嘞~~~

2017/01/11 12:22:58
49
juntion[版主]
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LV9
军长
我都已經快不知道回到哪了........
2017/01/11 13:20:37
51
电源网-璐璐
电源币:1090 | 积分:75 主题帖:206 | 回复帖:1430
LV10
司令

那就再来试试这个功能~~~~

2017/01/11 14:30:58
53
聂默
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LV4
连长

哎呀~這個號,倒數1樓,2樓,3樓····

2017/01/11 14:50:09
54
电源网-璐璐
电源币:1090 | 积分:75 主题帖:206 | 回复帖:1430
LV10
司令
方便不方便撒~~~~~
2017/01/11 16:50:20
59
聂默
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LV4
连长
十分方便,送朵紅花,只是電梯跳轉的功能,能不能也放在側邊欄,這樣會更好吧~
2017/01/10 09:34:21
27
juntion[版主]
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LV9
军长
低壓波形當然不會傾斜..波形上就有了, 越高壓傾斜越嚴重..
2017/01/10 09:52:20
28
聂默
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LV4
连长

嗯,是的,我看到了,但是我依然懵,或许是我对密勒效应的理解不够深入,

不明白开环情况下,同样的占空比,同样的自举电容充电时间,同样的栅电容,

为什么Buck低压输入时,vgs波形正常,高压就不正常?请版主指导~


此外,关于版主上传的图片,vgs波形算是明白开环与闭环情况下不同的原因,

只是最下边的SW波形,“SW”的含义尚不清楚~图片的最底层部分未能理解清楚

~


关于版主别的回复,我再细看,再搜些资料,阅读后,再发问~


2017/01/09 21:20:41
23
聂默
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LV4
连长
请版主看一下16楼,我亦对于自己的疑问做了些补充~
2017/01/11 10:03:52
37
聂默
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LV4
连长

現在先只看尖峰問題:

根據我之前看的資料,(1)MOS管的漏源電壓在MOS管關斷時,會產生一個尖峰,如下圖紅色尖刺所示;(2)由於二極管的反向恢復以及與其串聯的雜散電感的作用,在續流二極管關斷時刻,或者說在主功率管開啟時刻,會有一個感應電動勢,即電壓尖峰疊加在VS上,如下圖紅色尖刺所示;由於柵源電容Cgs的存在,在柵極波形VG上應該也存在同樣的尖刺;

那麼,問題來了~~~~~~~

問題1:根據尖刺產生的原理,同步整流電路應該也不可避免的會出現同樣的問題。。。。

問題2:版主上傳的圖片中,MOS_G下降沿的尖刺,可是由於續流二極管導通,雜散電感產生下正上負的電壓尖峰所致,并應電容CGS影響,所以,MOS_G與MOS_S均有在下降沿的尖刺??

問題3:之前我問過版主圖片中的”SW“是什麼含義?版主沒回答,我看了一下,應該是在同步Buck整流電路中,用於表示同步整流管的漏極,或者說主功率管的源極【這個地方如果有錯,還望版主也說明】,但是該處的波形,最小值為什麼會有一個抬升的過程,比VF還高,不清楚??

2017/01/11 10:19:33
39
juntion[版主]
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LV9
军长

1).SW點就是MOSFET_S與續流二極體_N, 與輸出電感的點, 這還須要問???

2).同步整流會, 但是很小, 因為它的速度遠比二極體快, 能夠將儲能電感能量放到極限, 二極體因為本身有一個VF存在, 當電流越大VF越大, 所以對於

    儲能電感的能量無法完全釋放

下緣尖峰38帖回答你了..

2017/01/11 11:30:49
41
聂默
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LV4
连长

1)sorry,這個貌似不該問,只是一開始不知道這個簡稱,只想確認一下~

2)明白了二者在此處的區別,謝謝~

2017/01/11 11:48:54
44
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

此外,關於版主15樓波形中SW點波形,【上面我把它單獨截了出來】開環時,SW最小值比VF高,還出現了漸漸抬高的過程,

是個怎麼回事兒?

2017/01/11 12:29:33
50
juntion[版主]
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LV9
军长

你輸入電壓一直上升, 當然SW電壓也跟著上升, 佔空比保持在50:50, 不然電壓上升還能保持一定高度?當然SW高度是隨著你的電壓上升而上升

輸出電壓因為佔空比也是50:50, 所以輸入上升, 輸出電壓也上升

輸出電流因為你用的是固定電阻, 所以輸出電壓上升輸出電流也上升

輸入電流因為輸出電壓與電流上升, 所以輸入電流也上升

SW下緣是二極體VF, 你輸出電流一上升VF變高, 下緣會被墊上來, 表示VF上升...

2017/01/11 14:20:07
52
聂默
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LV4
连长

對,沒錯。。

SW下面是二極管,二極管導通電壓隨電流增大而增大也沒錯,可當二極管導通時,SW相對于地的電壓,應該是二極管管導通壓降的相反數,想必,SW的最小值應該是下降的吧?【我小心翼翼地問一下】

之前,測的時候,還沒單獨關注過VG和VS的波形,後續,看一下~

2017/01/09 21:13:41
22
聂默
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LV4
连长

版主好,关于版主12楼的阐述,我有些疑问,然后在13楼中绘制了一些图,添加了一点资料,

请版主回复。。

2017/01/09 22:18:11
24
juntion[版主]
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LV9
军长

15樓開環波形是以驅動IC已經給20V, 然後電壓從MOSFET_D端輸入, 然後緩慢上升........

1). 當Vin , Vo , Ii ,Io, 都到達最高點, 意味著續流二極體的電流也為最高點, 因為週期 50:50 , 所以對於自舉電容而言, 並沒有因為週期改變而讓充電電荷變多或變少, 但, 反而是因為續流二極體VF的上昇, 而使充電電荷下降

2). 當Mosfet D-S電壓一值上升, 會因為米勒效應而使Ciss持續增大, 而自舉電容因為能量不足, 

(註:米勒效應為, 當Cgs達到門檻電壓後MOSFET就會進入開通狀態。當MOSFET開通後,Vds開始下降,Id開始上升,此時MOSFET進入飽和區。但由於米勒效應,Vgs會持續一段時間不再上升,此時Id已經達到最大,而Vds還在繼續下降,直到米勒電容充滿電), 所以重點是你VDS一直在增加, ID也一直增加.. .......

在Get 持續抽取電流下VB對VS電壓往下降 Ig 往上升, 理論上在續流二極體端使用Mosfet當同步整流, 那推動方波前緣不應該有尖波, 但是因為使用的是二極體因此在Mosfet導通初期被Peak往上帶, 且續流二極體與自舉充電兩個電流相反,因此在後緣會有一個往下尖波, 所以電壓越大電流越大, 尖波越大, 方波越斜, 雖然所使用的驅動為4A,高耐壓, 但這跟整體操作無關......

方波斜度越斜, 到底瞬間抽多少電流誰知道....另一個是往下尖波以差動探棒對VB與VS測量, 當VS出現超過-0.3V Linear限制時, 半導體很容易掛點

3). SW波形你會看到Low Active電流越小越接近地, 電流越大墊上來的電壓越高, 主要就是VF所引起的.......

4). 閉環路一經說過了...

2017/01/09 22:20:57
25
聂默
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LV4
连长
深夜回复,谢谢!!!
2017/01/10 09:59:59
29
juntion[版主]
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LV9
军长

我突然發現為何你會用這樣的結構

原因可能你是學生, 做的是專題研究

你用的是軟切, 所以周期須在50:50, 如果下橋用Mosfet最快, 但是必須做死區,用二極體不需考慮死區問題, 閉迴路只需對頻率做偏移就好

自舉電路應該是研究專題中重要功能之一, 所以無法換, anyway....

以下幾點你試試:

1). Mosfet 使用一顆就好, 且需選擇Qg低, Ciss也低, 高PD規格(假如你功率很大的話)

2). 修改自舉電容的值, 修改方法很簡單

a.將自舉IC的信號使用一台信號產生器設定方波一半一半, 頻率以你所需頻率為主, 直接輸出給Mosfet

b.Vin一直往上加, 發現波形頃斜後, 信號產生器頻率稍往下掉或往上升, 若往上升傾斜度補的回來,把電容變小, 反之若往下掉捕的回來電容往上加

3). 二極體需改為Low Vf 二極體, 若你頻率很高, 最好改成Ultra Low VF 二極體且耐流加大..

4). 電感最好使用多股線去繞, 既然要實現軟切, 用多股線最好大功率才不會有集膚效應


2017/01/10 10:51:54
32
聂默
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LV4
连长

版主,眼力过人~ 我还很无知,尚有诸多要学习之处~

是,我一开始是想避开同步中的死区问题;

我的电路结构其实也并不复杂,只是软开关,也有闭环;

然后,我就展开测试,一步步来,先测开环情况,而后循序渐进地

延展到闭环,然而在开环处受阻;

关于版主的几点建议:

1)MOSFET我目前使用了两颗,Qg106nC; Ciss 2080pF;

2)自举电容的值,我目前选取的是3uF,版主此处的意思是,怀疑我

的自举电容参数选取有问题,让我直接将经由驱动芯片产生的脉冲加到

MOS管上,然后缓慢增加Vin,进而调整自举电容值~ 

还是说直接将信号发生器输出的方波施加到MOS上,版主“2)a”中的第一句

描述让我感到含混,应该不是将信号发生器输出方波施加到MOS上吧,仪器

支持这样做吗?毕竟该电路中MOS管源极并非地~

3)二极管采用的是肖特基二极管;

4)电感,我也绕制了一个多股线的,是为了避免集肤效应,但滤波电感并未

这样,只是谐振电感;

2017/01/10 11:29:51
33
juntion[版主]
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LV9
军长

這樣接

另外, 軟切無法控制週期, 只能控制頻率, 因為週期一變,上下佔空比一改變, 你的諧振點就跑掉, 所以調週期也只能微小變化

調頻率則可在fl--f0--fh 變化會比較好調 (P = 1/2 L* I^2 * f) ,f是你能量的變化

自舉電容C , 使用的值, 在頻率越高越有惰性, 會充不飽, 你適度調整

蕭特基二極體有分一般與Low Vf, 看你用的是哪一種, VF與電流成正比....

2017/01/10 11:46:56
34
聂默
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LV4
连长

嗯 我有点懵 容我把整个过程捋一捋 把回复细看一下 

我需要搞清楚 每个问题产生的原因以及相应的解决办法并进行相关的测试纠正

2017/01/11 08:50:26
35
聂默
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LV4
连长

嗯 我又看了一个帖子,外加几篇关于电压电流尖峰产生的详细原理,然后,我再描述一下自己阅读后,依然存在的一些问题,

仍然需要热心版主的指导~

我会在有疑问的楼层下回复,版主不要跳过我的某些疑问,一定要表达一下自己的看法~

谢谢!

2017/01/11 15:38:07
57
聂默
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LV4
连长

12樓問題:”high電位一直上升,當上升到某種程度時,會因為MOS管密勒效應,對驅動抽取更大電流“?

如圖,為何會如此?

我把彌勒效應加入到MOS管導通過程中,尚有迷糊之處:MOS管導通時,難道,一開始,VS的電位並非等于輸入電壓,而是與VD相差較大;然後,當自舉電容的電荷把Cgs充到密勒平台VGP后,VS方才逐漸向VD,或者說是Vin靠攏??而VG應是時鐘比VS高一點自舉電容兩端的電壓,不知怎麼因為彌勒效應,對驅動抽取了更大的電流?且給vgs或者是米勒電容充電,都是自舉電容進行的吧?所謂抽取的大電流該怎麼來自於驅動芯片?

2017/01/11 15:20:40
56
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

。。。氣暈,剛打了一大堆字,沒保存,一不小心,。。。。接著,邊保存,邊編輯吧


昨天,關於版主的回復,我整理了一個文檔,關於其中不明白的地方,我會再一一拉出來~

版主一定不要嫌麻煩,雖然討論的過程中,與我最初的問題有所偏離,但是我對這些不懂的也很感興趣,所以就順著下去了~但是,我並沒有忘記最初的問題~接下來,看一看~


1.在MOS管開啟的過程中,由自舉電容儲存的電荷攻擊給柵源電荷,倘若自舉電容儲能不足,想必會出現vgs波形邊沿不夠陡峭【邊沿陡峭這句話,我自己都感覺隱隱有問題,】和vgs波形頂部傾斜;8樓中提及”D很大,相當於抽取很大電流“,這點我不甚明白,即使D很大,或者說導通時間較長,但是,柵源電容Cgs所需的電荷與導通時間有關嗎?此外,即使想抽取很大電流,也無法抽取啊,那麼驅動芯片又是如何損壞的呢?又是怎麼殃及模塊電源呢?


2.關於模塊電源:

(1)之前用5W的時候,異常時,儀器顯示輸入功率在0-某一值波動,我忘了具體什麼值;

(2)後來,改用15W,異常時,顯示輸入功率在0.696W;然後我對該模塊進行開路和短路測試,兩種情況下,均與異常時所顯示功率不同;

(3)5W電源模塊廠商那邊一個人員,說是”這種反復啟動現象,是觸發了短路保護,是板子上某個器件高壓時擊穿,導致電流很大,模塊電源無法滿足需求,觸發保護動作,15W的沒出現同樣狀況,說明,可能比15W稍大一些“;

(4)我所發現的器件的損毀是驅動芯片21850,別的目前沒有發現,且,如果我只是更換一下驅動芯片,低壓測試時,依然會正常;


那麼,到底是怎麼壞的呢?

2017/01/11 17:52:32
60
juntion[版主]
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LV9
军长

8樓所提的, 是因為一開始不知道你的週期只有50%, 以PWM特性來說, 開回路時因為沒控制, 所以週期一定是最大, 而通常PWM界定最大週期為90%, 若推

P-mos 結構則週期為100%, 所以在一開始研判的法則是, 當自舉電容充電不足, 且ON週期大時, 則瞬間Driver對Gate推動時電流一定很大, 會類似被短路一樣

且當你VDS一直增加, MOS本身G-S與G對D電容會持續增加, 你的Driver當然負擔不了

後來你說的週期只有50:50, 且看了你的下橋為二極體, 那思路要改變, 因為50:50在自舉與MOS間, VDS增加會取的一個不對等情形...... 

1). ON週期若如之前所想90%, 那代表有90%的電流由MOS提供, 10%由二極體提供, 現在換成50:50, 表示50%電流由MOS提供, 50%由二極體提供

    在電壓上升的場合, 二極體的VF往上拉(電流增大) IR也往上拉(電壓增大).....

2). 當電壓上升到一定程度時, 在Driver_Vs一定會有一個反電壓, 只是不知道你有沒有量到, 這種在上N-MOS下N-MOS的應用也會有, 只是很小, 二極體一定會較嚴重..

3). 偏壓電源的路徑: LDO總和+Driver, 其中LDO自己會限流(假設過流), 所以能量只有來自Driver, Driver在推動過程, 所拉的電流多少, 這跟你的MOS_G有關,      也會跟Vs有關, 因為信號輸入對地, 但是自舉輸出不對地, 因此內部需要有箝位電路將輸入轉為輸出信號, 不然位準不對等, 而箝位電路的電源一定是從Vcc      來, Base基準為Vs, 

    a. 所以你VS出現一個很大的上升緣或下降緣, 可能內不箝位電路因此被破壞, 大量電流由Vcc流往地

    b. 當Driver 推動出現很大電流造成gate電壓瞬降,則相對內部恆流偏致電路(IC內部正反器推動端)可能遭破壞, 使基準點跑掉, 而瞬間短路, 但這路徑是       由BS對VS,因此推翻這可能, 理由是BS對VS還有電阻擋著, 只可能是:當偏致電路遭破壞時, 內部箝位電路基準也變掉, VCC對地電流遽增....

這是從電路合理判斷, 你可以在試一下, 當電壓持續上升時, 手摸IC本體看看會不會發熱, 一熱就趕快關掉..看看我的判斷何不合理...... 

另外, 供給電源功率越大, 保護功率相對越大........

2017/01/11 19:32:59
61
聂默
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LV4
连长

好,近两天只是向你请教理论,倒未实测,因为之前测过,理论部整明白,换了又换,毁了又毁,问题并未解决;

我会实测一下,首先,将自举电容容值调大一些,现在是3uF,因为输出滤波电容是680uF,现在手头有一个47uF的贴片的,先换上看看;

不过,即使发烫烧坏,我们这也只算是推理出相关原因,病症依然存留~

还有56楼前面的楼层,我也提了些问题,版主或许没注意到~

2017/01/11 20:47:42
62
juntion[版主]
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LV9
军长

你的病因我以知道了.... 

你的区动IC操做电压是不是20V?是的话降到15V, 然后在你的续流二极体两端并联R+C做吸收

因为刚下载app领彩金不限制ipSPEC,RE-View过后,IC的VS只能容许VB-20, 也就是当你给它20V, 串二极体-0. 7, 但假设峰值禳VB充超过比VS大于20V

区动就㑹挂,所以降到15V再做实验看看..... 

2017/01/11 21:04:35
63
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
你电源如何试,我不知到,不过按正常判断,5W㑹保护可能是你IC括掉短路,造成保护进入打隔模式,且不足以让短路消失,15W因为功率大,你IC挂掉原本的短路瞬间被电流充到开路了,所以你没感觉.. 
2017/01/11 21:06:27
64
juntion[版主]
电源币:1010 | 积分:213 主题帖:2 | 回复帖:792
LV9
军长
平板很难检视,都花了.... 
2017/01/12 08:41:42
65
聂默
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LV4
连长
。。。辛苦了版主~
2017/01/12 08:43:14
66
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长
哦。
2017/01/12 08:48:49
67
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

額。。好吧,難道是超過了20V,本來自舉電容部分,我並聯有18V穩壓二極管,可能後來拆了吧~此外,柵源兩端也并有18V和3V穩壓二極管(兩個反向鏈接),可依然會看到vgs尖峰,如最早上傳的波形圖所示。

我立刻就試。

對了剛才換元器件的時候,忽然想到21850的datasheet,如圖,按版主的解釋,想必VBVS電壓超過了25V二極管的電壓值?不管如何,我先改動試試。

2017/01/12 09:33:07
68
juntion[版主]
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LV9
军长
是超過20V加誤差頂多22V, 穩壓管穩壓只是一個方法, 不保證有效, 因為穩壓管跟VS一樣是浮接地, 最好方法是降電壓....
2017/01/12 10:13:26
69
聂默
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LV4
连长

嗯,我正在試,看是否有效,只是我剛才忽然發現了個東西~就是剛才我在調節LM317(如圖所示)周邊電阻R2的時候,我發現即使按照我計算值連上電阻,其輸出電壓仍然20V網上,並沒有降下來,換了兩次都沒用,然後我把R2 R1都斷掉,打算先不管317,直接輸入16V電壓,為了急於看成效~

當然這是個問題,我會找找看,接著就發生了一個有趣的事兒~


就是剛才我把電源模塊也拆了下來,連線的時候,忘了把它焊上去,然後發現power supply上顯示的輸入功率為0.696W,就是0.696W,這個值就是和先前測電路時,異常時的輸入功率值一樣,這讓人感覺,電源模塊異常時,輸入端斷路的樣子~~好奇怪~~


先前有對電源模塊本身進行輸出端的開路和斷路測試,輸入功率值均不是0.696W,現在偶爾遇到了0.696W~

2017/01/12 11:12:41
70
juntion[版主]
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LV9
军长
既然如此為何不直接裝個7815都不用調?
2017/01/12 11:24:58
71
聂默
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LV4
连长
您說的是,可是现在板子做好后,封裝限制啊~下次的话,就不用317了~
2017/03/02 14:59:47
152
iWinner
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LV4
连长
谢谢楼主,学习了
2017/01/06 12:01:02
5
ymyangyong[版主]
电源币:1947 | 积分:452 主题帖:2 | 回复帖:5690
LV12
元帅
有点不明白:为什么要加LM317,C8、C9还用这么小?Z5、Z6稳压值合适吗?
2017/01/06 12:11:46
7
聂默
电源币:5 | 积分:0 主题帖:3 | 回复帖:7
LV4
连长

用LM317的原因是为了给驱动芯片供电,提供20V左右的电压;

C8,C9容值的选择需要什么特殊的注意事项吗?请指导

Z5 Z6并未同时使用,且在现在的测试过程中,两个都未焊接

2017/01/06 13:30:47
9
ymyangyong[版主]
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LV12
元帅
如果用15V模块,就可以省掉317降压,这两个电容一般用10uf以上。后面几个稳压管起保护作用,正常情况下不应该导通,会增大驱动损耗。
2017/01/06 14:44:21
10
聂默
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LV4
连长

首先谢谢版主的回复!版主针对这三处均由阐述,很仔细!尤其最后一条,我会采纳;

至于电容的容值,可能是我过于呆板了,我只是按照LM317的datasheet中所显示的参数,

至于为何选这么个参数值,也的确不太明了。

2017/01/12 13:47:22
72
juntion[版主]
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LV9
军长

Spec 你看一下:

lm117.pdf

在Page 7 有明白標示, output 有個min load current type 為3.5mA  Max 為5mA , 如此你的輸出才會穩定, 空載才不會飄動.......

因此兩個分壓電阻於Vo max 時, 必須給它 5mA(抓最大值) 的電流消耗, 致於IAdj base current 為100uA, 可忽略不計

計算式:

Vo = 1.25 (1+ R2/R1) + Iadj * R2

Iadj 忽略, 所以Iadj*R2=0

Load(min)=5mA,  令輸出為15V   則R(total) = 15 / 5mA =3000R   

Vref / R1(上分壓電阻) = 5mA   ; 1.25V / 5mA= 250R      R2(下分壓電阻) 為 3000R - 250R = 2.75K

致於電容, 因為是類比穩壓, 只要Psrr夠, 通常10uF以下就好了

2017/01/12 17:01:02
73
聂默
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......

慚愧啊,這都讓你指導,之前這塊沒有出過問題的,現在的情況是,不是這個地方出問題,就是那個地方出問題,問題層出不窮,讓人應接不暇,好在我折騰了好久,拆了焊,焊了拆,終於可以展開測試。。。

2017/01/12 17:09:41
74
juntion[版主]
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LV9
军长
技術這種東西都是經驗問題而已, 沒有人天生就會,哪天你也會成長, 只是時間的問題而已....
2017/01/12 18:02:10
75
聂默
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嗯,希望成為一個厲害的人。。

2017/01/12 18:06:48
76
聂默
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還有,這裡面我用到的各種電壓,比如5V,LM317會偶爾出問題,然而,當我的焦點不在它們身上的時候,譬如說現在,我想急於看到“降低驅動21850的供電電壓,并增大自舉電容的容值”的效果時,我應該可以直接用外接的電源供給吧,譬如說,驅動芯片那塊,就直接用16V,2A,行嗎?電流可能有點小,是嗎?
2017/01/12 18:11:01
77
juntion[版主]
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LV9
军长
當然行, 他沒抽那麼大電流.....
2017/01/12 18:15:12
78
juntion[版主]
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LV9
军长

你可以算瞬間電流 Vo = ( I / C )*t

Vo = 充到16V電壓, I=充電電流, C=充電電容, t = 1/f *0.5 <==Toff 時間

2017/01/12 19:05:59
79
聂默
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版主的這個算法,我不讚同~
2017/01/12 19:31:11
81
juntion[版主]
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军长
那是自举电容端的充电功式. 
2017/01/12 20:18:58
84
聂默
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不过可能不是滿滿的16V...不過我明白版主意思~当初,我算的时候,是根据栅极电荷算了值~
2017/01/12 19:14:53
80
聂默
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1.波形1:vgs&電感電流波形;

2.vg和電感電流波形;

3.vs和電感電流波形

之前沒觀察vg和vs的波形,就是有尖峰,看起來還很嚴重的尖峰;然而vgs還好,沒尖峰;這尖峰會帶來什麼壞處?

2017/01/12 19:45:16
82
juntion[版主]
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LV9
军长

上尖峰电感与二极体引起,下尖峰由地引起的,可展开看频率很高,用示波器,BW设在20MHz看可能就不见了,上尖波在二极体两端并R, C

这种㑹影影响EMI, 输出也㑹带杂讯... 不过你不是做软切么?软切后这些就都不见了.... 

2017/01/12 20:17:46
83
聂默
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是的,等我後來,再看看,對比一下~
2017/01/12 20:24:08
85
juntion[版主]
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LV9
军长
嗯.. 如果软切还这样就玩蛋了,因为软切后电流成正弦不㑹是锯齿波,所以奇次谐波㑹不见..... 
2017/01/12 20:28:48
86
聂默
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額。。我還沒升電壓測呢。。等我升電壓開環測還正常,我就測開環時的軟開關,再正常,就接著測閉環情況~

話說,版主,為啥你總能第一時刻看到信息,并回復,而我確不能這樣~有什麼技巧嗎?

2017/01/12 20:32:50
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juntion[版主]
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军长
我开着浏览器,一段时间就更新,就㑹看到有通知啰.... 
2017/01/12 20:33:58
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聂默
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額,好吧~
2017/01/12 20:55:23
89
聂默
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不行,我記得第一次我測的時候,當輸入電壓調到150往上才壞掉;現在,我測的時候,只有在輸入電壓是40V的時候,才沒問題,剛才,我僅僅是把它升到50V,就悲劇了。。


這次相對于以前所做的改變有:自舉電容調到47uF,驅動芯片的供電電壓由之前的20V降到17V,只有這兩個改變~


其他參數的設置與以往相同:Ui 40V, D 50% f 200k,RL先設為5Ω,還得保證負載電流大於自舉電容充電電流;


電路的表現:首先,驅動芯片過燙,明顯該芯片悲劇了,因為此次驅動芯片的供電是由外接電源供的,倒沒出現電源模塊問題;不会是驱动芯片本身问题吧?难道非正品?还是说我的电路本身什么地方存在着隐患?

2017/01/12 21:23:57
90
juntion[版主]
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LV9
军长

自举电容不可以那么大,一般50HZ才22uF, 你做软切频率致少也要75K以上,那电容在104-1uF之间就好,记不记的之前回文有提:当自举电容太大,充电㑹有堕性,㑹充不饱...... 

还有,你电压拉高到150, 那萧特基二极体用几伏?通常较普遍为200V, 你电压若很高要用可能要用碳化硅才可以

Ps:先降负载,拿掉一颗Mos再试看..... 

2017/01/12 21:40:59
91
聂默
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記得啊~記得高頻,自舉電容充電會有惰性~

對的,就是用的手頭的碳化硅管子;

我感覺關鍵不在於自舉電容的容值是47uF,之前3u也有試過;

開關頻率,上面提到過200k;

PS:為什麼要拿掉一顆MOS,你竟然還記得我之前提到,我用了兩顆MOS;這樣做,難道是為了減弱自舉電容的負擔,減弱對驅動芯片供電電源的負擔?

先將負載?sure?用意是什麼?

PS:感覺我這樣試后,依然會出問題~~不過,我會去試~

2017/01/12 22:02:57
93
juntion[版主]
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LV9
军长

200Khz电容用104就够了;降功率是因为你用电阻做负载,把电阻先改大,先用一颗Mos来试,ok以后,再并联mos然后功率再拉上去

还有,碳化硅二极体不知到你用电流多大,越高越贵,你用的规格记的是输出电流*1.73 *2

1.73是根号三,因为是方波,2是抓一倍容余,软切就不需要那么大,单软切还没动起来.. . 

2017/01/12 22:01:54
92
聂默
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LV4
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一個人這樣說,"低压正常;说明原理正确。高压不正常;说明器件、驱动及PCB设计不配或选型错误。"

很對啊~現在這情況感覺就是驅動的問題~

2017/01/12 22:07:11
94
juntion[版主]
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LV9
军长
高压高频做开环路本来就嘛烦,你STEP BY STEP.... 
2017/01/12 22:09:52
95
聂默
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嗯~
2017/01/12 23:11:51
96
聂默
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